一种消除硅器件热氧化缺陷的简易方法

硅器件工艺的高温热氧化,将在芯片表面产生氧化缺陷。本文观测了高温氮气退火对二次缺陷的消除作用,采用了初次热氧化后接着通干氮高温退火的方法,能够有效地改善芯片的PN结击穿特性,减少表面漏电流。文中给出了显微分析的照片。