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一种新型低压高精度CMOS电流源
引用本文:朱樟明,杨银堂,尹韬.一种新型低压高精度CMOS电流源[J].西安电子科技大学学报,2005,32(2):174-178.
作者姓名:朱樟明  杨银堂  尹韬
作者单位:西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所 陕西西安 710071,陕西西安 710071,陕西西安 710071
基金项目:国家高技术发展计划(863)资助项目(2002AA1Z1210),国家自然科学基金资助项目(60476046)
摘    要:采用低压与温度成正比基准源和衬底驱动低压运算放大器电路,设计了一种新型的低压高精度CMOS电流源电路,并采用TSMC0.25um CMOS Spice模型进行了电源特性、温度特性及工艺偏差的仿真.在室温下,当电源电压处于1.0~1.8V时.低压电流源输出电流Iout约为12.437~12.497uA;当温度在0~47℃范围内,输出电流为12.447uA;各种工艺偏差条件下的最大绝对偏差为0.54uA,与典型工艺模型下的相对偏差为4.34%.

关 键 词:电流源  CMOS  衬底驱动
文章编号:1001-2400(2005)02-0174-05

A novel low voltage high precision CMOS current reference
ZHU Zhang-ming,YANG Yin-tang,YIN Tao.A novel low voltage high precision CMOS current reference[J].Journal of Xidian University,2005,32(2):174-178.
Authors:ZHU Zhang-ming  YANG Yin-tang  YIN Tao
Affiliation:Research Inst. of Microelectronics, Xidian Univ., Xi′an 710071, China
Abstract:Based on the low voltage PTAT bandgap reference and bulk-driven low voltage operational amplifier, a novel low voltage high precision CMOS current reference is implemented.The supply, temperature and technology characteristics are simulated by TSMC 0.25μm CMOS Spice models.When the supply voltage rages from 1.0~1.8V, the output current is equal to 12.437~12.497μA at room temperature.When the temperature ranges from 0~47℃, the output current is also equal to 12.447μA.The maximal absolute current error of technology is equal to 0.54μA, and the relative error to the normal output current is 4.34%.
Keywords:current source  CMOS  bulk driven  
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