| 用化学镀改善多孔硅的金半接触质量 |
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| 引用本文： | 余峰,李伟,廖佳科,渠叶君,郭安然.用化学镀改善多孔硅的金半接触质量[J].电子器件,2014,37(4). |
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| 作者姓名： | 余峰 李伟 廖佳科 渠叶君 郭安然 |
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| 作者单位： | 电子薄膜与集成器件国家重点实验室;电子科技大学光电信息学院; |
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| 基金项目： | 部级项目(BB030105) |
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| 摘 要： | 多孔硅是一种具有优良光吸收特性的表面微结构材料,在光电探测器和太阳能光伏电池领域具有良好的应用前景。为了改善金属/多孔硅电接触质量,通过电化学腐蚀制备多孔硅,对比研究了化学镀与物理气相沉积(热蒸发、磁控溅射)工艺制备出的金属电极界面结构,测试了相应I-V特性,并讨论了快速退火对金半接触质量的影响。研究结果表明,用化学镀工艺在多孔硅表面制备金属电极,经快速退火处理后,能得到较低比接触电阻(10-1Ω·cm2)的欧姆电接触。
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| 关 键 词： | 化学镀 金半接触 I-V特性 比接触电阻 多孔硅 |
Improved Metal-semiconductor Contacts on Porous Silicon by Electroless Nickel Plating |
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