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| GaAs(100)同质外延表面相变的动态过程研究 | |
| 引用本文： | 刘兴权,陆卫,马朝晖,陈效双,乔怡敏,万明芳,沈学础.GaAs(100)同质外延表面相变的动态过程研究[J].半导体学报,1997,18(6):408-411. |
| 作者姓名： | 刘兴权 陆卫 马朝晖 陈效双 乔怡敏 万明芳 沈学础 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 摘 要： | 本文叙述了用CCD系统对MBE生长中RHEED图案强度变化进行实时监测，通过（00）级条纹的RHEED强度分析，直接给出了不同生长条件下表面相变的动态过程，得到了从C（4×4）到α（2×4）的连续相变过程，进一步给出了不同条件下的表面化学配比情况． |
| 关 键 词： | 砷化镓 分子束外延 同质外延 表面相变 |
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