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Si_3N_4离子敏感场效应晶体管的pH响应
引用本文:岳天仪,史美伦.Si_3N_4离子敏感场效应晶体管的pH响应[J].化学传感器,1985(3).
作者姓名:岳天仪  史美伦
作者单位:同济大学化学系,同济大学化学系
摘    要:Si_3N_4离子敏感场效应晶体管被作为一种特殊的电化学体系来进行研究。与传统的电极不同,它的状态不是由电位来决定,而是由源漏电流I_o来表征。由于在Si_3N_4表面不存在氧化还原反应,因此它是典型的理想极化电极。随着源漏电流I_(?)的不同,在不同的电解液体系里,具有不同的V_g响应。本文以Si_3N_4离子敏感场效应管的V_s—I_D的稳态特性曲线来研究各种不同溶液的pH响应。

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