1550 nm波段外腔窄线宽激光器增益芯片 |
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引用本文: | 武艳青,车相辉,王英顺,李松松,刘牧荑.1550 nm波段外腔窄线宽激光器增益芯片[J].半导体技术,2023(4):301-307+352. |
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作者姓名: | 武艳青 车相辉 王英顺 李松松 刘牧荑 |
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作者单位: | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
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摘 要: | 针对外腔窄线宽激光器应用设计了一款半导体增益芯片,分析了斜率效率和增益谱特性,由于封装后增益峰红移会造成器件输出功率下降,指出设计中芯片的增益峰需偏离激光器激射波长。通过优化量子阱结构及材料应力,提高了芯片的斜率效率。为了降低芯片自身法布里-珀罗(FP)腔谐振效应,采用弯曲波导配合磁控溅射四层增透膜工艺,使芯片出光端面的有效反射率明显降低,提高了窄线宽激光器输出波长的稳定性。所设计芯片采用1%压应变量子阱材料,量子阱厚度为7.5 nm,量子阱数量为3个,芯片波导与解理面法线呈6°夹角。通过半导体流片工艺完成掩埋结芯片制作,并进行窄线宽激光器封装及测试,实现了1 550 nm波段高效稳定的窄线宽激光输出。
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关 键 词: | 半导体增益芯片 增益峰红移 斜率效率 增透膜 稳定输出 |
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