高能电子辐照对三结GaAs激光电池特性的影响

研究了能量为1 MeV的电子辐照对三结GaAs激光电池(LPC)性能的影响。不同剂量电子辐照后三结GaAs LPC光照下的I-V特性测试结果表明，三结GaAs LPC短路电流、开路电压和最大输出功率的衰减随电子辐照剂量的提高而增大。通过测量不同波长激光照射下三结GaAs LPC的宽电压范围I-V曲线，确定了各子电池对应的光生电流，结果显示各子电池光生电流衰减随辐照剂量增加而不同程度地增大，越靠近衬底的子电池电流衰退越严重。利用wxAMPS软件模拟了各子电池光生电流随缺陷密度的变化关系，结合实验和模拟结果得到了各子电池辐照后的缺陷密度及缺陷引入率，结果表明各子电池受电子辐照后的缺陷引入率大致相同，约为6.7。可通过优化各结子电池厚度达到提高三结GaAs LPC抗辐照性能的目的。