SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性 |
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引用本文: | 于洪权,尉升升,刘兆慧,尹志鹏,白娇,谢威威,王德君.SiC掺氯热氧化技术与SiC MOS电容偏压温度不稳定性[J].半导体技术,2023(5):380-388. |
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作者姓名: | 于洪权 尉升升 刘兆慧 尹志鹏 白娇 谢威威 王德君 |
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作者单位: | 大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院 |
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基金项目: | 国家自然科学基金资助项目(61874017); |
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摘 要: | 偏压温度不稳定性(BTI)是影响SiC MOS器件性能的关键因素。提出了一种制备SiC MOS电容的新工艺,即在SiC干氧氧化气氛中掺入氯化氢(HCl),并对比了不同HCl与O2体积流量比对SiC MOS电容电学性能的影响。结果表明,该工艺有效地改善了SiC MOS电容的栅氧击穿特性,降低了界面态密度,提升了平带电压稳定性。二次离子质谱(SIMS)和X射线光电子能谱(XPS)测试分析表明,掺氯热氧化技术能够有效消除界面缺陷。进一步分析表明,SiC掺氯热氧化技术能够降低可动离子面密度和氧化层陷阱电荷密度,能够有效改善器件的BTI特性。
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关 键 词: | 碳化硅 MOS电容 热氧化 偏压温度不稳定性(BTI) 阈值电压漂移 |
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