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| 高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究 | |
| 引用本文： | 刘昌龙,侯明东.高能Ar离子辐照单晶Si引起的损伤研究[J].核技术,1998,21(8):449-454. |
| 作者姓名： | 刘昌龙 侯明东 |
| 作者单位： | 中国科学院近代物理研究所 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，甘肃省自然科学基金，中国科学院“九五”重点资助 |
| 摘 要： | 用１１２ＭｅＶ Ａｒ离子以５０Ｋ的低温辐照了〈１１１〉取向的单晶Ｓｉ后在室温下采用Ｘ射线光电子谱（ＸＲＳ）、电子顺磁共振（ＥＰＲ）和红外光吸收（ＩＲ）技术对样品进行了分析。ＸＰＳ分析结果表明，表面处Ｓｉ以单元素和ＳｉＯ２两种形式共存，辐照对这两种形式Ｓｉ的２ｐ轨道电子的结合能影响较小。ＥＰＲ测量结果显示，Ｓｉ中的损伤产生明显地依赖于辐照剂量，当剂量为１．０×１０＾１４－１．８×１０＾１４ｃｍ＾－２ |
| 关 键 词： | 非晶化 双空位 氩离子辐照 辐射损伤 单晶硅 |
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