| n-GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照效应 |
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| 引用本文： | 刘畅,袁菁,钟志亲,伍登学,龚敏. n-GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照效应[J]. 半导体光电, 2005, 26(1): 26-29 |
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| 作者姓名： | 刘畅 袁菁 钟志亲 伍登学 龚敏 |
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| 作者单位： | 四川大学,微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,四川,成都,610064;四川大学,微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,四川,成都,610064;四川大学,微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,四川,成都,610064;四川大学,微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,四川,成都,610064;四川大学,微电子学系,微电子技术四川省重点实验室,四川,成都,610064 |
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| 摘 要： | 研究了n型Au/GaN肖特基势垒紫外光探测器的电子辐照失效机理.从实验中观测到,随着电子辐照注量的不断增加,Au/GaN间辐照诱生的界面态引起器件的击穿电压明显减小,反向漏电流逐渐增大.辐照诱生的深能级缺陷导致紫外光探测器对较长波长光的吸收,使得UV探测器中可见光成分的背景噪声增加.同时,对辐照后的GaN肖特基紫外光探测器进行了100℃以下的退火处理,退火后,器件的电流-电压特性有所改善.
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| 关 键 词： | GaN紫外光探测器 肖特基势垒 电子辐照 辐照失效 金属/半导体界面 退火 |
| 文章编号： | 1001-5868(2005)01-0026-04 |
| 修稿时间： | 2004-10-09 |
Effects of Electron Irradiation on n-GaN Schottky Barrier UV Detector |
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| LIU Chang,YUAN Jing,ZHONG Zhi-qing,WU Deng-xue,GONG Min. Effects of Electron Irradiation on n-GaN Schottky Barrier UV Detector[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2005, 26(1): 26-29 |
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| Authors: | LIU Chang YUAN Jing ZHONG Zhi-qing WU Deng-xue GONG Min |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN UV detector Schottky barrier electron irradiation irradiation damage semiconductor-metal interface annealing |
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