| 二维位置灵敏硅探测器性能测试 |
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| 引用本文： | 李安利,周书华.二维位置灵敏硅探测器性能测试[J].原子能科学技术,1994,28(4):324-330. |
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| 作者姓名： | 李安利 周书华 |
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| 作者单位： | 中国原子能科学研究院核物理所 |
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| 摘 要： | 用＾２３９Ｐｕ α源和４０与７０ＭｅＶ的Ｏ和Ｃ离子在Ａｕ靶上的散射束对二维位置灵敏硅探测器的性能进行测试。结果表明：在这种测试条件下，在计算位置的公式中用能量信号代替４个位置信号之和可获得更好的位置分辨；主放大器的成形时间对探测器的位置分辨有较大的影响。
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| 关 键 词： | 位置灵敏 硅探测器 性能试验 |
TEST OF TWO-DIMENSIONAL POSITION SENSITIVE SILICON DETECTOR |
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| LI ANLI,ZHOU SHUHUA,LIU WEIPING,BAI XIXIANG,SI GUOJIAN,LI ZHICHANG.TEST OF TWO-DIMENSIONAL POSITION SENSITIVE SILICON DETECTOR[J].Atomic Energy Science and Technology,1994,28(4):324-330. |
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| Authors: | LI ANLI ZHOU SHUHUA LIU WEIPING BAI XIXIANG SI GUOJIAN LI ZHICHANG |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Two-dimensional position sensitive silicon detector Shaping time Positionresolution NonLnearity |
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