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| 离子注入制备掺铒富硅氧化硅退火温度对光致发光的影响 | |
| 引用本文： | 张昌盛,肖海波,林志浪,张峰.离子注入制备掺铒富硅氧化硅退火温度对光致发光的影响[J].中国激光,2004,31(Z1). |
| 作者姓名： | 张昌盛 肖海波 林志浪 张峰 |
| 摘 要： | 研究了离子注入掺铒富硅氧化硅材料的光致发光和发光强度随退火温度的变化.在实验中发现,材料在1.54 μm处的发光波形与发光强度均与退火温度有关.在1100℃退火条件,材料形成较好的硅纳米晶,提高了Er的激发和发光效率.在T>100K时,Er发光的温度淬灭与非晶硅的含量有关,1100℃退火样品的温度淬灭效应比较小. |
| 关 键 词： | 离子注入 光致发光 铒 富硅氧化硅 |
Effect of Thermal Treatment on Photoluminescence of Er-Doped Silicon-Rich SiO2 Prepared by Ion Implantion |
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| Keywords: | |
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