| Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷 |
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| 引用本文： | 蔡小五,海潮和,王立新,陆江,刘刚,夏洋.Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷[J].功能材料与器件学报,2008,14(5). |
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| 作者姓名： | 蔡小五 海潮和 王立新 陆江 刘刚 夏洋 |
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| 作者单位： | 中国科学院微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 为研究Power VDMOS中辐照引起的氧化物陷阱电荷和界面态电荷情况,用Co-60源对Pow-er MOSFET进行了总剂量的辐照实验,移位测试了器件的亚阈值曲线漂移情况,通过最大斜率线性外推法和亚阈值分离方法提取了开启电压、增益因子、迁移率、氧化物陷阱电荷和界面态电荷随辐照总剂量的漂移情况.研究结果表明:在1000krad(Si)辐照下器件开启电压漂移小于2V,迁移率退化小于20%,氧化物陷阱电荷和界面态电荷处于比较理想的状态,小于2×1011cm-2.
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| 关 键 词： | 辐照 氧化物陷阱电荷 界面态电荷 |
Gamma-irradiation induced oxide trapped charge and interface charge in Power VDMOS |
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| CAI Xiao-wu,HAI Chao-he,WANG Lixin,LU Jiang,LIU Gang,XIA Yang.Gamma-irradiation induced oxide trapped charge and interface charge in Power VDMOS[J].Journal of Functional Materials and Devices,2008,14(5). |
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| Authors: | CAI Xiao-wu HAI Chao-he WANG Lixin LU Jiang LIU Gang XIA Yang |
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| Keywords: | VDMOS |
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