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| 空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较 | |
| 引用本文： | 王荣,周宏余,司戈丽,姚淑德,张新辉,郭增良,翟佐绪,王勇刚,朱升云.空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量变化的比较[J].半导体学报,2002,23(1). |
| 作者姓名： | 王荣 周宏余 司戈丽 姚淑德 张新辉 郭增良 翟佐绪 王勇刚 朱升云 |
| 作者单位： | 1. 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京,100875北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 2. 北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875 3. 北京大学技术物理系,北京,100871 4. 信息产业部第18研究所,天津,300381 5. 中国科学院半导体研究所,北京,100083 6. 中国原子能科学研究院,北京,102413 |
| 摘 要： | 研究了空间实用背场Si太阳电池和GaAs/Ge太阳电池性能随质子辐照注量1×109～5×1013cm-2的变化.实验表明,两种太阳电池的电性能随辐照注量增加有不同的衰降趋势.背场Si太阳电池性能参数Isc、Voc和Pmax衰降变化快,辐照注量为2×1010cm-2时,Pmax就已衰降为原值的75%;而GaAs/Ge电池对应相同的衰降辐照注量达8×1011cm-2,且其Isc、Voc和Pmax衰降变化起初缓慢,当辐照注量接近3×1012cm-2时才迅速下降.背场Si电池和GaAs/Ge电池性能衰降分别与质子辐照引入的Ev+0.14eV及Ev+0.43eV和Ec-0.41eV深能级有关. |
| 关 键 词： | Si太阳电池 GaAs/Ge太阳电池 质子辐照 |
A Comparison of Electric Properties of Back-Field Si Solar Cell and GaAs/Ge Solar Cell for Space Use as a Function of Proton Irradiation Fluence |
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