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| 高k栅介质MOSFET的栅电流模型 | |
| 作者姓名： | 刘晓彦 康晋锋 韩汝琦 |
| 作者单位： | 北京大学微电子学研究所,北京,100871 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划) |
| 摘 要： | 提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型.在该模型的基础上,研究了采用不同高介电常数栅介质材料时MOSFET的栅电流与介质材料的介电常数、禁带宽度及和Si导带不连续等参数之间的关系.所获得的结果能够为新型栅介质材料的选取提供依据. |
| 关 键 词： | MOSFET 直接隧穿 栅电流 高k栅介质 |
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