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硅片缺陷粒径分布参数的提取方法
作者姓名:郝跃  陆勇  赵天绪  马佩军
作者单位:西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
摘    要:利用电学测量方法,给出了在集成电路制造过程中,影响光刻工艺的各种颗粒尘埃(缺陷)的粒径分布参数提取方法.首先基于双桥微电子测试结构,通过具体制造工艺得到数据,然后处理得到故障的粒径分布.再利用缺陷与故障之间的关系,进一步推导出缺陷粒径分布的参数.结果表明该方法适合于不同的缺陷粒径分布模型,而且得到的参数可以用于集成电路成品率预测.

关 键 词:缺陷  故障  粒径分布  成品率
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