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| 立方相AlxGa1-xN/GaAs(100)的MOCVD外延生长 | |
| 引用本文： | 冯志宏,杨辉,徐大鹏,赵德刚,王海,段俐宏.立方相AlxGa1-xN/GaAs(100)的MOCVD外延生长[J].半导体学报,2002,23(2). |
| 作者姓名： | 冯志宏 杨辉 徐大鹏 赵德刚 王海 段俐宏 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
| 摘 要： | 利用MOCVD生长技术在GaAs(100)衬底上生长了高质量的立方相AlGaN薄膜.通过光致发光 (PL)、扫描电镜(SEM)分析了不同NH3流量、不同生长温度对AlGaN外延层的结晶质量和表面形貌的影响.发现相对高的NH3流量和相对高的生长温度可以提高AlGaN外延层的结晶质量. |
| 关 键 词： | MOCVD 立方相AlGaN 光致发光 扫描电镜 低值氧化物 |
MOCVD Growth of Cubic AlxGa1-xN/GaAs(100) |
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| Abstract: | |
| Keywords: | |
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