| (Ga,Mn,As)/GaAs的发光谱 |
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| 作者姓名： | 杨君玲 陈诺夫 叶小玲 何宏家 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室,北京,100083;中国国家微重力实验室,北京,100080 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划),国家攀登计划 |
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| 摘 要： | 利用低能双离子束外延技术,在400℃条件下生长样品(Ga,Mn,As)/GaAs.样品光致发光谱出现三个峰,即1.5042eV处的GaAs激子峰、1.4875eV处的弱碳峰和低能侧的一宽发光带.宽发光带的中心位置在1.35eV附近,半宽约0.1eV.在840℃条件下对样品进行退火处理,退火后的谱结构类似退火前,但激子峰和碳杂质峰的峰位分别移至1.5065eV和1.4894eV,同时低能侧的宽发光带的强度大大增加.这一宽发射带的来源还不清楚,原因可能是体内杂质和缺陷形成杂质带,生成Mn2As新相,Mn占Ga位或形成GaMnAs合金.
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| 关 键 词： | (Ga,Mn,As) GaAs单晶 质量分析的低能离子束 光致发光 |
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