| 适于PMOSFET的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2的生长 |
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| 引用本文： | 卢盛辉,杨洪东,李竞春,谭开州,张静.适于PMOSFET的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2的生长[J].材料导报,2010,24(16). |
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| 作者姓名： | 卢盛辉 杨洪东 李竞春 谭开州 张静 |
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| 作者单位： | 1. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
2. 中国电子科技集团第二十四研究所模拟集成电路国家重点实验室,重庆,400060 |
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| 基金项目： | 模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目 |
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| 摘 要： | 通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构.采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料.经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45nm;Si1-xGex薄膜中Ge组分x=0.188,厚度为37.8nm,与设计值较接近;穿透位错主要由侧壁界面产生,集中在窗口边缘,密度为(0.3～1.2)×10.cm-2;在表面未发现十字交叉网格,且Si0.8Ge0.2衍射峰两侧干涉条纹清晰,说明Si0.8Ge0.2与Si缓冲层界面失配位错已被有效抑制.测试分析结果表明,生长的局部双轴压应变SiGe材料质量较高,可用于高性能SiGe PMOSFET的制备与工艺参考.
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| 关 键 词： | 局部双轴应变 应变锗硅 特别几何结构 材料生长 |
Growth of Local Biaxial Strained Si0. 8Ge0.z for PMOSFET |
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| LU Shenghui,YANG Hongdong,LI Jingchun,TAN Kaizhou,ZHANG Jing.Growth of Local Biaxial Strained Si0. 8Ge0.z for PMOSFET[J].Materials Review,2010,24(16). |
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| Authors: | LU Shenghui YANG Hongdong LI Jingchun TAN Kaizhou ZHANG Jing |
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