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| 量子阱中电子隧穿逃逸时间的研究 | |
| 作者姓名： | 张玉民 郑厚植 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家实验室 |
| 摘 要： | 用波包方法计算了电子从量子阱中的隧穿逃逸时间随外加偏压的变化,与实验结果符合良好,通常半经典近似模型与实验结果偏离较大,通过对两者的比较给出了改进的半经典模型,大大简化了隧穿逃逸时间的计算。 |
| 关 键 词： | 量子阱 隧穿 逃逸时间 |
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