| 一种用于硅基MEMS加工的深刻蚀技术 |
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| 引用本文： | 陈瑜,吴俊徐,郭平生,王连卫,M.van der Zwan,P.M.Sarro.一种用于硅基MEMS加工的深刻蚀技术[J].微细加工技术,2005(4):37-41. |
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| 作者姓名： | 陈瑜 吴俊徐 郭平生 王连卫 M.van der Zwan P.M.Sarro |
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| 作者单位： | 1. 华东师范大学,电子科学技术系纳米中心,上海,200062
2. DIMES-ECTM,Delft University of Technology, Feldmannweg 17, P.O.Box 5053, 2600GB Delft, Netherlands |
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| 基金项目： | 上海市自然科学基金资助项目（03ZR14023）;上海市AM基金（0409）;上海市曙光计划资助项目（04SG29） |
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| 摘 要： | 研究了光辅助电化学刻蚀技术，并特别研究了阵列和硅衬底之间的边缘效应。在阵列边缘由于电流分布不均匀以及空穴从孔的侧壁注入，因此可以在边缘区域观察到结构的坍塌，采用一个周期性变化的信号来调制光照的强度，边缘效应会得到一定的抑制。同时，也观察到了硅的电化学深刻蚀工艺中大电流情况下的抛光现象（阳极氧化条件下，硅表面在氢氟酸溶液中快速均匀溶解不形成孔的现象）。光学测试表明，制作的正方格子结构具有光予晶体行为，其光学禁带位于6μm附近。
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| 关 键 词： | 电化学刻蚀 DRIE 深沟槽 深孔 光子晶体 |
| 文章编号： | 1003-8213（2005）04-0037-05 |
| 收稿时间： | 2005-04-26 |
| 修稿时间： | 2005-06-12 |
An Electrochemical Deep Etching Technology for Silicon-based MEMS Fabrications |
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| CHEN Yu,WU Jun-xu,GUO Ping-sheng,WANG Lian-wei,M.van der Zwan,P.M.Sarro.An Electrochemical Deep Etching Technology for Silicon-based MEMS Fabrications[J].Microfabrication Technology,2005(4):37-41. |
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| Authors: | CHEN Yu WU Jun-xu GUO Ping-sheng WANG Lian-wei Mvan der Zwan PMSarro |
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| Affiliation: | 1. Department of Electronic Science and Technology and Nano-tech Center, East China Normal University, Shanghai 200062, China; 2. DIM ES-ECT M, Delft University of Technology, Feldmannweg 17, P.O.Box 5053, 2600GB Delft, Netherlands |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | eletrochemical etching DRIE deep trench deep hole photon crystal |
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