首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

CMOS集成电路中振荡器的设计及性能分析
引用本文:赵胜华,陈建安.CMOS集成电路中振荡器的设计及性能分析[J].电子与封装,2004,4(6):33-35,25.
作者姓名:赵胜华  陈建安
作者单位:西安电子科技大学电子工程学院,陕西,西安,710071;西安电子科技大学电子工程学院,陕西,西安,710071
摘    要:本文讨论在CMOS集成电路设计中,常用到的三种振荡器,计算它们的振荡周期,并对电路进行了仿真及性能分析。

关 键 词:多谐振荡器  环形振荡器  RC振荡器  电压控制的振荡器
文章编号:1681-1070(2004)06-33-03

The Design and Features of Oscillator in CMOS IC
Zhao Sheng-hua Chen Jian-an.The Design and Features of Oscillator in CMOS IC[J].Electronics & Packaging,2004,4(6):33-35,25.
Authors:Zhao Sheng-hua Chen Jian-an
Abstract:The method of three oscillators in CMOS IC is discussed in this paper.In addition, this paper deals with the period of them.The features of these circuits are analyzed by simulation.
Keywords:Multi-vibrators Ring oscillator RC oscillator Voltage-controlled oscillator (VCO )  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号