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| CdZnTe衬底对碲镉汞气相外延表面形貌的影响 | |
| 作者姓名： | 王仍 焦翠灵 张莉萍 张可锋 陆液 杜云辰 邵秀华 林杏潮 李向阳 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.61106097;No.61204134;No.11304335);中科院三期创新项目(No.CX-26);中国载人航天工程资助 |
| 摘 要： | 利用气相外延技术在CdZnTe衬底上生长Hg1-xCdxTe薄膜材料,通过在不同晶向、不同极性、不同晶向偏离角度CdZnTe衬底上的外延结果发现,CdZnTe衬底对外延形貌的影响非常大。(111)面衬底上外延形貌明显优于(211)面衬底的外延形貌。对于同是<111>CdZnTe晶向的衬底,(111)Cd面CdZnTe衬底上的外延形貌明显优于(111)Te面。对于(111)Cd面CdZnTe衬底,当晶向偏离角度不同时,其外延形貌也有差异,晶向偏离角越小表面形貌越好。 |
| 关 键 词： | ：Hg1-xCdxTe晶体 CdZnTe衬底 (111)Cd面 (111)Te面 |
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