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| 利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的静电保护电路 | |
| 作者姓名： | 向李艳 邬齐荣 龚敏 陈畅 |
| 作者单位： | 四川大学物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;四川大学物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;四川大学物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064;四川大学物理科学与技术学院,微电子技术四川省重点实验室,成都,610064 |
| 摘 要： | 传统的ESD保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1]。文中提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数。并以某一典型0.6μmCMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期和增加设计成功率的目的。 |
| 关 键 词： | 静电保护 ISE-TCAD 可控硅整流器 |
| 文章编号： | 1681-1070（2007）08-0030-04 |
| 修稿时间： | 2007-04-10 |
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