一种采用瞬态增强电路的无片外电容LDO设计

为改善无片外电容低压差线性稳压器(LDO)的瞬态响应性能,设计了一种采用瞬态增强电路的LDO。该LDO采用密勒补偿和有源前馈补偿技术,确保LDO在负载电流范围内稳定;同时,通过瞬态增强电路感知负载电流瞬态变化,为功率管栅极提供充、放电通路,提高了电路的瞬态响应性能。LDO基于180 nm CMOS工艺设计。仿真结果表明,在0~100 mA负载电流范围内,LDO的瞬态响应与加入瞬态增强电路前相比,输出电压的下冲尖峰减少645 mV,下降了73%;过冲尖峰减少105 mV,下降了53%。负载调整为0.002 V/A,线性调整为0.988 mV/V。