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| 用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiO_xN_y薄膜及其电学特性 | |
| 引用本文： | 陈蒲生,冯文修,王川,王锋,刘小阳,田万廷,曾绍鸿.用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiO_xN_y薄膜及其电学特性[J].半导体学报,1997,18(10):776-781. |
| 作者姓名： | 陈蒲生 冯文修 王川 王锋 刘小阳 田万廷 曾绍鸿 |
| 作者单位： | [1]华南理工大学应用物理系 [2]南京四公司信息研究所 |
| 摘 要： | 研究了用作薄介质栅的等离子体增强化学气相淀积（PECVD）方法低温形成的SiOxNy薄膜与其电学特性．探索该薄膜电学特性与微观组分，反应室气压，衬底工作温度，退火致密和金属化后退火等的相互关系．给出了获得电学特性优良的SiOxNy薄膜的优化PECVD工艺条件，同时对实验结果进行了理论分析与讨论． |
| 关 键 词： | 薄介质栅 薄膜晶体管 PECVD法 半导体薄膜技术 |
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