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RF磁控溅射法原位制备C轴择优取向ZnO薄膜
引用本文:程松华,曾祥斌.RF磁控溅射法原位制备C轴择优取向ZnO薄膜[J].半导体光电,2007,28(1):60-63.
作者姓名:程松华  曾祥斌
作者单位:华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074;华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
摘    要:采用RF磁控溅射法在玻璃衬底上原位低温生长ZnO薄膜.生长出的薄膜对可见光具有高于90%的透射率,该薄膜具有良好的C轴取向.利用X射线衍射(XRD)的测试结果,分析了溅射工艺条件如衬底温度、氩氧比和溅射气压等对薄膜性能的影响,得到最佳的生长工艺条件为:衬底温度300 ℃,溅射气压1 Pa,氩氧比为25 sccm∶15 sccm.在此条件下生长的ZnO薄膜具有良好的C轴择优取向,并且薄膜的结晶性能良好.采用这种方法制备的ZnO薄膜适合用于制备平板显示器的透明薄膜晶体管和太阳电池的透明导电电极.

关 键 词:RF磁控溅射  ZnO薄膜  透明薄膜晶体管  有源矩阵液晶显示器
文章编号:1001-5868(2007)01-0060-04
修稿时间:2006-06-28

In Situ Deposition of C-axis Oriented ZnO Thin Films by RF Magnetron Sputtering
CHENG Song-hua,ZENG Xiang-bin.In Situ Deposition of C-axis Oriented ZnO Thin Films by RF Magnetron Sputtering[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(1):60-63.
Authors:CHENG Song-hua  ZENG Xiang-bin
Affiliation:Dept. of Electronic Science and Technology, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, CHN
Abstract:
Keywords:RF magnetron sputtering  ZnO thin film  transparent thin film transistor  active-matrix liquid crystal display
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