| Si（111）基片上Mg2Si薄膜的脉冲激光沉积 |
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| 引用本文： | 杨梅君,王传彬,沈强.Si（111）基片上Mg2Si薄膜的脉冲激光沉积[J].真空科学与技术学报,2014(10):1112-1117. |
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| 作者姓名： | 杨梅君 王传彬 沈强 |
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| 作者单位： | 武汉理工大学材料研究与测试中心;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 |
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| 基金项目： | 湖北省自然科学基金项目(2013CFB356);中央高校基本科研业务费专项资金资助(项目编号:2013-IV-049) |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积方法在Si(111)基片上制备了Mg2Si薄膜。研究了激光能量密度、退火气氛及压强、退火温度、退火时间等工艺条件对Mg2Si薄膜生长的影响。用X射线衍射仪分析了Mg2Si薄膜的物相,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌。实验结果表明:在激光能量密度为2.36 J/cm2,Si(111)基片上室温、真空(真空度10-6Pa)条件下沉积,在Ar气压强为10 Pa,500℃,30 min条件下原位退火得到了纯相、结构均匀、表面平整、厚度约为900 nm的Mg2Si多晶薄膜。
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 Mg2Si薄膜 Si(111)基片 多晶薄膜 |
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