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| InP/InGaAsP LED集成透镜的光电化学工艺 | |
| 引用本文： | F. W. Ostermayer,李庆文.InP/InGaAsP LED集成透镜的光电化学工艺[J].半导体光电,1983(1). |
| 作者姓名： | F. W. Ostermayer 李庆文 |
| 作者单位： | 贝尔实验室 |
| 摘 要： | 为了在LED和光纤之间获得最大耦合,通常要用某种形式的透镜系统,最好的结构是利用半导体器件本身形成的集成透镜。以前曾用腐蚀或把光致抗蚀剂的形状转移到半导体上,用离子铣的方法研制了这种透镜。为了在晶片中的InP/InGaAsP LED的上方形成集成透镜,本文介绍一种新颖、简单、而又可重复生产的光电化学(PEC)工艺。这一工艺是利用在适当的电解液中,光生空穴分解n-InP的反应: InP 5h~ →In(111) P(111) e~-腐蚀速率正比于光强度,适当设计投射到半 |
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