|
|||||
|
|
| 电气和电子工程用材料科学 | |
| 摘 要： | TG132.22006050040Zr对非晶Co-Si薄膜晶化和相变的影响/吴海凤,程凡雄,董显平,吴建生(上海交通大学材料科学与工程学院)//真空.―2005,42(4).―26～28.利用X射线衍射分析技术结合差示扫描量热仪,研究了Zr在Co-Si合金非晶薄膜晶化和相变过程中的作用。结果表明:溅射态非晶Co-Si薄膜和Co-Si-Zr薄膜在加热到950℃的过程中,均主要析出Co-Si和Co-Si2两种晶化相;Zr的加入增大了晶化激活能,抑制了晶化相的形核和长大,使薄膜能够在更高的温度范围保持稳定,但在高温800℃以上加热时,却使晶化相Co-Si向Co-Si2的转变加快。图4表1参11TG146,T… |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |