|
|||||
|
|
| 大功率半导体激光器腔面处理方法 | |
| 引用本文： | 花吉珍,齐志华,杨红伟,杜伟华,陈国鹰.大功率半导体激光器腔面处理方法[J].微纳电子技术,2009,46(1). |
| 作者姓名： | 花吉珍 齐志华 杨红伟 杜伟华 陈国鹰 |
| 作者单位： | 1. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051;河北工业大学,天津300130 2. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051 3. 河北工业大学,天津,300130 |
| 摘 要： | 介绍了采用非注入电流腔面和透明窗口减小腔面电流的方法。减小腔面非辐射复合的方法包括采用高真空下解理、镀膜防止腔面氧化;采用真空等离子洗或化学气体腐蚀清除腔面氧杂质沾污。论述了合适的腔面膜系组合和膜系组分有利于减小腔面膜层应力,改善散热能力。指出将抑制腔面电流、防止腔面氧化等方法组合,再加上合理的结构设计和热管理等综合应用,以及将半导体材料-镀膜膜层交界面处于光驻波波谷,可有效提高器件的灾变光学镜面损伤(COMD)阈值。 |
| 关 键 词： | 半导体激光器 灾变光学镜面损伤 可靠性 腔面氧化 非辐射复合 |
Facet Treatment of High-Power Semiconductor Laser Diodes |
|
| Hua Jizhen,Qi Zhihua,Yang Hongwei,Du Weihua,Chen Guoying.Facet Treatment of High-Power Semiconductor Laser Diodes[J].Micronanoelectronic Technology,2009,46(1). | |
| Authors: | Hua Jizhen Qi Zhihua Yang Hongwei Du Weihua Chen Guoying |
| Affiliation: | 1.The 13th Research Institute;CETC;Shijiazhuang 050051;China;2.Hebei University of Technology;Tianjin 300130;China |
| Abstract: | The unpumped end section and transparent windows are used to decrease the facet carriers.Reducing facet nonradiative recombination center involved to cleave the wafer into bar in ultrahigh vacuum and coating,and ion milling or chemical gas etching was used to remove the native oxide contaminant in the facet.Optimized combination of coating films and appropriate layers component may decrease the film strain and get good thermal conduction.In theoretically,if the minimum of the standing optical wave in the la... |
| Keywords: | semiconductor laser diode catastrophic optical mirror damage (COMD) reliability facet oxidizing nonradiative recombination |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |