| 一种采用0.5 μm CMOS工艺的多通道SAR ADC |
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| 引用本文： | 彭新芒,杨银堂,朱樟明.一种采用0.5 μm CMOS工艺的多通道SAR ADC[J].微电子学,2007,37(2):217-220. |
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| 作者姓名： | 彭新芒 杨银堂 朱樟明 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;高等学校博士学科点专项科研项目;国家部委科研项目 |
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| 摘 要： | 设计并实现了一个多通道12位逐次逼近(SAR)A/D转换器。转换器内部集成了多路复用器和并行到串行转换寄存器、复合型DAC等。整体电路采用Hspice进行仿真,转换速率为133 ksps,转换时间为7.5μs。通过低功耗设计,工作电流降低为2.48 mA。芯片基于0.5μmCMOS工艺完成版图设计,版图面积为2.4 mm×2.3 mm,流片测试满足设计指标。
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| 关 键 词： | 逐次逼近模数转换器 复合结构DAC CMOS工艺 |
| 文章编号： | 1004-3365（2007）02-0217-04 |
| 修稿时间： | 2006-08-112006-10-26 |
Design of a Multi-Channel SAR ADC Based on 0.5 μm CMOS Process |
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| PENG Xin-mang,YANG Yin-tang,ZHU Zhang-ming.Design of a Multi-Channel SAR ADC Based on 0.5 μm CMOS Process[J].Microelectronics,2007,37(2):217-220. |
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| Authors: | PENG Xin-mang YANG Yin-tang ZHU Zhang-ming |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Successive approximation A/D converter Composite DAC CMOS process |
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