| GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片 |
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| 引用本文： | 田爱华,邢东,赵向阳,蒋长宏,刘波,冯志红.GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片[J].半导体技术,2022(1). |
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| 作者姓名： | 田爱华 邢东 赵向阳 蒋长宏 刘波 冯志红 |
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| 作者单位： | 专用集成电路重点实验室;中国电子科技集团公司第十三研究所;中国科学院国家空间科学中心 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划资助项目(2018YFF0109701)。 |
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| 摘 要： | 针对太赫兹GaAs肖特基二极管倍频器芯片散热能力差导致输出功率低的问题,开展了GaAs/AlN异构集成太赫兹倍频器芯片研究。通过稳态热仿真发现,将肖特基二极管芯片衬底由GaAs替换为热导率更高的AlN可以降低结温。对芯片衬底替换工艺开展了研究,获得了GaAs/AlN异构集成太赫兹二极管。分别对基于GaAs衬底二极管和基于GaAs/AlN异构集成二极管的162 GHz倍频器开展功率性能测试对比。测试结果表明:装配GaAs衬底二极管的倍频器输入功率为200 mW时,输出功率最高为43.6 mW;而装配GaAs/AlN异构集成二极管的倍频器输入功率提高到316 mW,输出功率为72.4 mW。肖特基二极管由GaAs衬底替换为AlN衬底后耐受功率(输入功率)提高了约58%,倍频效率由21.8%提升至22.9%,输出功率也相应提升,验证了相比GaAs衬底肖特基二极管,GaAs/AlN异构集成太赫兹二极管的散热性能及耐受功率具有明显的优越性。
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| 关 键 词： | 太赫兹 异构集成 肖特基二极管 热分析 倍频器 |
GaAs/AlN Heterogeneous Integration Terahertz Frequency Multiplier Chip |
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| Tian Aihua,Xing Dong,Zhao Xiangyang,Jiang Changhong,Liu Bo,Feng Zhihong.GaAs/AlN Heterogeneous Integration Terahertz Frequency Multiplier Chip[J].Semiconductor Technology,2022(1). |
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| Authors: | Tian Aihua Xing Dong Zhao Xiangyang Jiang Changhong Liu Bo Feng Zhihong |
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| Affiliation: | (Science and Technology on ASIC Laboratory,Shijiazhuang 050051,China;The 13^(th)Research Institute,CETC,Shijiazhuang 050051,China;National Space Science Center,Chinese Academy of Science,Beijing 100089,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | terahertz heterogeneous integration Shottky diode thermal analysis frequency multiplier |
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