首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

采用噪声抵消技术的宽带SiGe HBT 低噪声放大器设计
引用本文:孙博韬,张万荣,谢红云,陈亮,沈佩,黄毅文,尤云霞,王任卿.采用噪声抵消技术的宽带SiGe HBT 低噪声放大器设计[J].电子器件,2010,33(4).
作者姓名:孙博韬  张万荣  谢红云  陈亮  沈佩  黄毅文  尤云霞  王任卿
作者单位:北京工业大学电子信息与控制工程学院,北京,100124
基金项目:国家自然科学基金项目资助,北京市自然科学基金项目资助,北京市教委科技发展计划项目资助,北京市属市管高校中青年骨干教师培养计划项目资助(102,北京市优秀跨世纪人才基金项目资助 
摘    要:宽带低噪声放大器的输入匹配需要兼顾阻抗匹配和噪声匹配.通常,这两个指标是耦合在一起的.现有的宽带匹配技术需要反复协调电路参数,在阻抗匹配和噪声匹配之间折衷,给设计增大了难度.提出一种噪声抵消技术,通过两条并联的等增益支路,在输出端消除了输入匹配网络引入的噪声,实现阻抗匹配和噪声匹配的去耦.基于Jazz 0.35 μm SiGe工艺,设计了一款采用该噪声抵消技术的宽带低噪声放大器.放大器的工作带宽为0.8-2.4 GHz,增益在 16 dB以上,噪声系数小于3.25 dB, S11在-17 dB以下.

关 键 词:低噪声放大器  阻抗匹配  噪声匹配  噪声抵消技术  SiGe工艺

Design of Broadband SiGe HBT LNA Employing Noise Cancellation Technique
SUN Botao,ZHANG Wanrong,XIE Hongyun,CHEN Liang,SHEN Pei,HUANG Yiwen,YOU Yunxia,WANG Renqing.Design of Broadband SiGe HBT LNA Employing Noise Cancellation Technique[J].Journal of Electron Devices,2010,33(4).
Authors:SUN Botao  ZHANG Wanrong  XIE Hongyun  CHEN Liang  SHEN Pei  HUANG Yiwen  YOU Yunxia  WANG Renqing
Affiliation:SUN Botao,ZHANG Wanrong,XIE Hongyun,CHEN Liang,SHEN Pei,HUANG Yiwen,YOU Yunxia,WANG Renqing(School of Electronic Information and Control Engineering,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China)
Abstract:The impedance matching and the noise matching must be considered when designing a wideband low noise amplifier(LNA).However,they are coupled together.Existing wideband matching technologies have to frequently adjust circuit parameters to trade-off between impedance matching and noise matching.This makes the design complex.In this paper,a noise canceling technology is presented.By parallelling two equal gain branches,the noise induced by the input matching is canceled at the output.As a result,the impedance ...
Keywords:low noise amplifier  impedance matching  noise matching  noise canceling technology  SiGe technology  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《电子器件》浏览原始摘要信息
点击此处可从《电子器件》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号