| β-Ga2O3及Cr掺杂β—Ga2O3电子结构的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 李伟,梁二军,邢怀中,丁宗玲,陈效双.β-Ga2O3及Cr掺杂β—Ga2O3电子结构的第一性原理计算[J].材料导报,2007,21(F05):250-252. |
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| 作者姓名： | 李伟 梁二军 邢怀中 丁宗玲 陈效双 |
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| 作者单位： | [1]东华大学物理系,上海201620 [2]郑州大学教育部材料物理重点实验室,郑州450052 [3]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 |
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| 基金项目： | 东华大学引进人才基金资助课题;河南省高校创新人才工程基金资助课题（1999-125）致谢：本文得到了郑州大学贾瑜教授的帮助,在此表示衷心的感谢! |
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| 摘 要： | 运用第一性原理密度泛函理论（DFT）计算了不同交换关联势下单斜晶系β-Ga2O3的总能量、晶格常数、总态密度、分波态密度及能带结构。理论计算结果表明：单斜晶系β-Ga2O3在局域密度近似（LDA）和广义梯度近似（GGA）下的晶格常数和带隙与实验值基本相符，其中LDA近似得到的晶格常数与实验值更接近；β-Ga2O3比六方晶系结构的α-Ga2O3更加稳定，但带隙比α—Ga2O3略小；Cr掺杂导致β-Ga2O3禁带宽度变小，费米能级处的态密度不为零，即变为半金属。
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| 关 键 词： | β-Ga2O3 电子结构 第一性原理 铬掺杂 |
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