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| 晶型及化学成分对SiC粉体氧化性能的影响 | |
| 作者单位： | ;1.西安科技大学材料科学与工程学院;2.西安科技大学陕西省硅镁产业节能与多联产工程技术研究中心 |
| 摘 要： | 研究粒度标号为W2.5和W10、晶型为3C和6H的3C-W2.5、3CW10、6H-W2.5、6H-W10这4种SiC粉体的氧化性能,通过同步热分析仪讨论4种粉体在30~1 400℃时的非等温氧化特性,采用X射线衍射和扫描电子显微镜对氧化前、后粉体的物相和表面性质进行表征。结果表明:起始氧化温度从高到低的SiC粉体依次为3C-W10、6H-W2.5、6H-W10、3CW2.5,与其化学成分中SiO2相对含量由大到小的关系相一致;在相同实验条件下,高温氧化后同一晶型的粉体粒度标号为W2.5的质量变化大于W10的,粒度相同时,3C-SiC的质量变化小于6H-SiC的;加热至1 400℃后,SiC晶体表面有玻璃状SiO2生成。 |
| 关 键 词： | SiC粉体 氧化性能 化学成分 |
Influence of Crystalline Forms and Chemical Composition on Oxidation Performance of SiC Powders |
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