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真空退火法对AZO薄膜的研究
引用本文:张丽伟,王子健,卢景霄,王海燕,吴芳,李红菊.真空退火法对AZO薄膜的研究[J].真空,2006,43(5):13-15.
作者姓名:张丽伟  王子健  卢景霄  王海燕  吴芳  李红菊
作者单位:1. 郑州大学物理工程学院,材料物理教育部重点实验室,河南,郑州,450052;新乡师范高等专科学校,河南,新乡,453000
2. 新乡师范高等专科学校,河南,新乡,453000
基金项目:河南省教育厅科技攻关项目
摘    要:磁控溅射法在玻璃衬底上制备了AZO(氧化锌掺铝)薄膜。对薄膜进行了真空退火。利用XRD、分光光度计以及四探针等测试装置,对AZO薄膜的晶粒度、透光率和导电性能进行了测试分析。结果表明,退火有利于薄膜结晶;退火有利于薄膜光电性能的提高。在本实验中,AZO薄膜的最高透光率可达90.617%;最低电阻率可达2.21×10-3(Ω.cm)。对比在真空中退火的ITO薄膜的光电性能参数,结果已有所超越。此结果说明,AZO薄膜有潜力成为透明导电膜ITO的替代产品。

关 键 词:磁控溅射法  AZO薄膜  退火  光电特性  透过率
文章编号:1002-0322(2006)05-0013-03
收稿时间:2006-01-26
修稿时间:2006-01-26

Study on AZO thin films annealed in vacuum
ZHANG Li-wei,WANG Zi-jian,LU Jing-xiao,WANG Hai-yan,WU fang,LI Hong-ju.Study on AZO thin films annealed in vacuum[J].Vacuum,2006,43(5):13-15.
Authors:ZHANG Li-wei  WANG Zi-jian  LU Jing-xiao  WANG Hai-yan  WU fang  LI Hong-ju
Abstract:
Keywords:magnetron sputtering process  AZO thin film  annealing  photoe lectricity  transmittance
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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