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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
含F栅介质的Fowler-Nordheim效应
作者姓名:
张国强
严荣良
余学锋
高剑侠
任迪远
作者单位:
中国科学院新疆物理研究所
摘 要:
本文建立了一套用于MOS电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统,用高频和准静态C-V技术,分析研究了栅介质中F离子的引入所具有的抑制Fowler-Nordheim高场应力损伤的特性,对F离子和高场应力作用机制进行了讨论.
关 键 词:
大规模集成电路 栅介质 F-N效应 测试
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