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含F栅介质的Fowler-Nordheim效应
作者姓名:张国强  严荣良  余学锋  高剑侠  任迪远
作者单位:中国科学院新疆物理研究所
摘    要:本文建立了一套用于MOS电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统,用高频和准静态C-V技术,分析研究了栅介质中F离子的引入所具有的抑制Fowler-Nordheim高场应力损伤的特性,对F离子和高场应力作用机制进行了讨论.

关 键 词:大规模集成电路 栅介质 F-N效应 测试
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