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| 用显微喇曼扫描成像(mapping)法测集成电路中CoSi_2电极引起的应力 | |
| 引用本文： | 李碧波,黄福敏,张树霖,高玉芝,张利春.用显微喇曼扫描成像(mapping)法测集成电路中CoSi_2电极引起的应力[J].半导体学报,1998,19(4):299-303. |
| 作者姓名： | 李碧波 黄福敏 张树霖 高玉芝 张利春 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 |
| 摘 要： | 本文用显微喇曼光谱方法，在μｍ尺度上对集成电路中由多晶硅衬底上生长ＣｏＳｉ２所引起的应力进行了测量，并对这种应力的类型和大小与含有ＣｏＳｉ２的电路结构间的关系做了研究．结果表明，ＣｏＳｉ２所引起的应力为压应力，其大小随着面积的减小而增大，在边界处的应力与ＣｏＳｉ２区域中心处的应力类型相反，数值大一倍． |
| 关 键 词： | 二硅化钴 电极 集成电路 测量 |
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