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| 衬底温度对纳米Si-SiO_x薄膜的结构和组分的影响 | |
| 引用本文： | 张仕国,张伟,袁骏,樊瑞新.衬底温度对纳米Si-SiO_x薄膜的结构和组分的影响[J].半导体学报,1998,19(12):903-907. |
| 作者姓名： | 张仕国 张伟 袁骏 樊瑞新 |
| 作者单位： | 浙江大学硅材料国家重点实验室 |
| 摘 要： | 本文报道用真空蒸发制备含氧硅薄膜的技术，研究了衬底温度对薄膜结构和组分的影响．实验发现在真空为５×１０－３Ｐａ、衬底温度在２８０～４８０℃范围内，随着温度的提高，薄膜由非晶、转化为纳米晶体、再转化为多晶，氧含量也随着温度的提高而增加，这可能是由硅原子在生长表面迁移率的增加和氧化速率的提高所致 |
| 关 键 词： | 纳米硅 衬底 氧化硅 半导体薄膜技术 |
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