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开关电源芯片中过温保护技术的研究与实现
引用本文:邹雪城,邵轲,郑朝霞,陈松涛.开关电源芯片中过温保护技术的研究与实现[J].微电子学与计算机,2006,23(7):192-194.
作者姓名:邹雪城  邵轲  郑朝霞  陈松涛
作者单位:华中科技大学电子科学与技术系,湖北,武汉,430074
摘    要:在分析温度对开关电源芯片的可靠性、稳定性有严重影响的基础上,利用与绝对温度成正比的PTAT电流检测温度变化的原理,设计了一种新颖的过温保护电路。该电路具有迟滞功能,并且关断和开信阈值可调,同时输入电压变化对温度门限的影响很小。仿真波形显示该电路工作性能优异。最后该电路应用在DC-DC芯片中,采用1.6μm BiCMOS工艺,完全满足芯片设计需要,具有很大的应用前景。

关 键 词:过温保护技术  开关电源  PTAT电流  迟滞功能
文章编号:1000-7180(2006)07-003
收稿时间:2005-09-19
修稿时间:2005-09-19

The Research of Over-Temperature Protection Technology in Switch Power Supply Chips and Its Implementation
ZOU Xue-cheng,SHAO Ke,ZHENG Zhao-xia,CHEN Song-tao.The Research of Over-Temperature Protection Technology in Switch Power Supply Chips and Its Implementation[J].Microelectronics & Computer,2006,23(7):192-194.
Authors:ZOU Xue-cheng  SHAO Ke  ZHENG Zhao-xia  CHEN Song-tao
Abstract:
Keywords:Over-temperature protection  Switch power supply  PTAT current  Hysteresis function
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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