| ZnO纳米棒的图形化生长及其场发射特性 |
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| 引用本文： | 常中坤,郁可,张永胜,李立君,欧阳世翕,张清杰,王青艳,朱自强.ZnO纳米棒的图形化生长及其场发射特性[J].半导体学报,2006,27(13):84-86. |
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| 作者姓名： | 常中坤 郁可 张永胜 李立君 欧阳世翕 张清杰 王青艳 朱自强 |
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| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院，济南 250100；华东师范大学信息科学技术学院电子系，上海 200062;华东师范大学信息科学技术学院电子系，上海 200062;华东师范大学信息科学技术学院电子系，上海 200062;山东大学物理与微电子学院，济南 250100；华东师范大学信息科学技术学院电子系，上海 200062;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，武汉 430070;武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，武汉 430070;华东师范大学信息科学技术学院电子系，上海 200062;华东师范大学信息科学技术学院电子系，上海 200062 |
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| 摘 要： | 介绍了用氢离子注入技术和阳极腐蚀方法在硼掺杂p-(100)型硅晶片上制备图形化的纳米硅(SiNC)薄膜工艺，并在这种图形化衬底上成功生长了图形化的ZnO纳米棒. 场发射测试表明制备的ZnO纳米棒具有良好的场发射性能，即具有较低的开启电场和阈值电场，较高的发射点密度.
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| 关 键 词： | ZnO纳米棒 图形化生长 场发射 |
Patterned Growth and Field Emission Properties of ZnO Nanorods |
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| Chang Zhongkun,Yu Ke,Zhang Yongsheng,Li Lijun,Ouyang Shixi,Zhang Qingjie,Wang Qingyan and Zhu Ziqiang.Patterned Growth and Field Emission Properties of ZnO Nanorods[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(13):84-86. |
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| Authors: | Chang Zhongkun Yu Ke Zhang Yongsheng Li Lijun Ouyang Shixi Zhang Qingjie Wang Qingyan and Zhu Ziqiang |
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| Abstract: | Patterned ZnO nanorods have been first grown on patterned silicon nanocrystallite (SiNC) films that were fabricated on (100) orientation p-type boron-doped silicon wafer by hydrogen ion implantation technique and the anodic etching method,and their field emission properties were obtained.Field emission measurements demonstrated that the synthesized ZnO nanorods have excellent field emission properties,namely low turn-on field,low threshold field,and high emission spot density.The patterned ZnO nanorods have great potential in the application of flat panel displays. |
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| Keywords: | ZnO nanorods patterned growth field emission |
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