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| 铟掺杂ZnO体单晶的生长及其性质 | |
| 作者姓名： | 张璠 赵有文 董志远 张瑞 杨俊 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院半导体研究所,北京 100083;中国科学院半导体研究所,北京 100083 |
| 摘 要： | 研究了In掺杂n型zno体单晶的化学气相传输法生长和材料性质.利用霍尔效应、x射线光电子能谱、光吸收谱、喇曼散射、阴极荧光谱等手段对晶体的特性和缺陷进行r分析.掺In后容易获得浓度为1018～lO19cm-3的n型ZnO单晶,掺人杂质的激活效率很高.随着掺杂浓度的提高,znO单晶的带边吸收和电学性质等发生明显的变化.分析了掺In-ZnO单晶的缺陷及其对材料性质的影响. |
| 关 键 词： | 掺杂 化学气相传输 单晶 |
| 收稿时间： | 2008-02-10 |
| 修稿时间： | 2008-04-02 |
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