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| 用于辐射探测器的低Fe掺杂半绝缘InP材料 | |
| 作者姓名： | 王丽 陈春梅 田树盛 黄子鹏 邵会民 王阳 付莉杰 |
| 作者单位： | 装备发展部中心,北京 100034;河北工业大学电子信息工程学院,天津 300401;中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄 050051 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 磷化铟(InP) 晶体生长 Fe掺杂 半绝缘 辐射探测器 |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ | |
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