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| 栅槽刻蚀工艺对增强型GaN HEMT器件性能的影响 | |
| 引用本文： | 崔兴涛,陈万军,施宜军,信亚杰,李茂林,王方洲,周琦,李肇基,张波.栅槽刻蚀工艺对增强型GaN HEMT器件性能的影响[J].半导体技术,2019,44(4):286-290. |
| 作者姓名： | 崔兴涛 陈万军 施宜军 信亚杰 李茂林 王方洲 周琦 李肇基 张波 |
| 作者单位： | 电子科技大学 电子科学与工程学院,成都,610054;电子科技大学 电子科学与工程学院,成都,610054;电子科技大学 电子科学与工程学院,成都,610054;电子科技大学 电子科学与工程学院,成都,610054;电子科技大学 电子科学与工程学院,成都,610054;电子科技大学 电子科学与工程学院,成都,610054;电子科技大学 电子科学与工程学院,成都,610054;电子科技大学 电子科学与工程学院,成都,610054;电子科技大学 电子科学与工程学院,成都,610054 |
| 摘 要： | |
| 关 键 词： | 增强型 氮化镓(GaN) 高电子迁移率晶体管(HEMT) 刻蚀技术 击穿电压 |
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