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| 硅外延片中的杂质控制 | |
| 引用本文： | 朱丽娜,闵靖.硅外延片中的杂质控制[J].上海有色金属,2003,24(1):32-38. |
| 作者姓名： | 朱丽娜 闵靖 |
| 作者单位： | 上海市计量测试技术研究院,上海,200233 |
| 摘 要： | 有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布。主掺杂质控制外延层的杂质浓度，决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法。金属杂质在外延层中对器件有害，防止沾污和使用吸杂技术能降低金属杂质在外延层中的浓度。 |
| 关 键 词： | 外扩散 自掺杂 滞留层 S坑缺陷 增强吸杂外延 |
| 文章编号： | 1005-2046(2003)01-0032-07 |
| 修稿时间： | 2002年9月10日 |
Control of Impurities in Epitaxial Wafers of Silicon |
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| Abstract: | |
| Keywords: | outward diffusion self doping stagnant layer sauser pit defect enhanced gettering epitaxy |
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