| 一种高Q值高线性度SiGe HBT有源电感 |
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| 引用本文： | 赵彦晓,王亚飞,李振松,张万荣,丁红.一种高Q值高线性度SiGe HBT有源电感[J].微电子学,2018,48(3):344-347. |
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| 作者姓名： | 赵彦晓 王亚飞 李振松 张万荣 丁红 |
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| 作者单位： | 北京信息科技大学 信息与通信工程学院, 北京 100101,北京信息科技大学 信息与通信工程学院, 北京 100101,北京信息科技大学 信息与通信工程学院, 北京 100101,北京工业大学 信息学部, 北京 100124,北京信息科技大学 信息与通信工程学院, 北京 100101 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(61574010,61774012)；国家自然科学基金青年基金资助项目(61601038)；北京市教委面上项目(KM201611232012) |
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| 摘 要： | 提出了一种高Q值、高线性度SiGe HBT有源电感。基于NPN SiGe HBT共发射极-共基极-共集电极结构,引入有源负阻网络,以提高有源电感的Q值。采用前馈电流源,提高了有源电感的线性度。基于0.35 μm SiGe BiCMOS工艺对有源电感进行了仿真验证,并分析了该有源电感的电感值、Q值以及线性度。该有源电感适用于对Q值、线性度要求较高的射频电路。
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| 关 键 词： | 有源负阻网络 前馈电流源 有源电感 SiGe HBT 线性度 |
| 收稿时间： | 2017/9/15 0:00:00 |
A High Q Value and Excellent Linearity SiGe HBT Active Inductor |
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| ZHAO Yanxiao,WANG Yafei,LI Zhensong,ZHANG Wanrong and DING Hong.A High Q Value and Excellent Linearity SiGe HBT Active Inductor[J].Microelectronics,2018,48(3):344-347. |
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| Authors: | ZHAO Yanxiao WANG Yafei LI Zhensong ZHANG Wanrong and DING Hong |
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| Affiliation: | School of Information & Communication Engineering, Beijing Information Science & Technology University, Beijing 100101, P.R.China,School of Information & Communication Engineering, Beijing Information Science & Technology University, Beijing 100101, P.R.China,School of Information & Communication Engineering, Beijing Information Science & Technology University, Beijing 100101, P.R.China,Faculty of Information Technology, Beijing University of Technology, Beijing 100124, P.R.China and School of Information & Communication Engineering, Beijing Information Science & Technology University, Beijing 100101, P.R.China |
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| Abstract: | |
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