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| 一种结构简单的曲率补偿CMOS带隙基准源 | |
| 作者姓名： | 曹寒梅 杨银堂 蔡伟 陆铁军 王宗民 |
| 作者单位： | (1. 西安电子科技大学 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西 西安 710071; 2. 北京微电子技术研究所,北京 100076) |
| 摘 要： | 提出了一种结构简单新颖的高性能曲率补偿带隙电压基准源．电路设计中没有采用典型结构中的差分放大器,而是采用负反馈技术实现电压箝位,简化了电路结构; 输出部分采用调节型共源共栅结构,保证了高的电源抑制比．整个电路采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺实现,并用HSPICE进行仿真,结果表明所设计的电路在-45℃～125℃范围内的温度系数为12.9×10-6／℃,频率为10Hz时的电源抑制比为67.2dB．该结构可应用于高速模数转换器的设计中． |
| 关 键 词： | 负反馈箝位 带隙电压基准源 高温度稳定性 |
| 收稿时间： | 2007-09-18 |
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