| 高阻值Cd1-xZnxTe晶体的生长及其性能测试 |
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| 引用本文： | 李国强 谷智 介万奇. 高阻值Cd1-xZnxTe晶体的生长及其性能测试[J]. 半导体学报, 2003, 24(8): 833-836 |
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| 作者姓名： | 李国强 谷智 介万奇 |
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| 作者单位： | 西北工业大学凝固技术国家重点实验室，西安710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;59982006; |
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| 摘 要： | 通过适当的工艺措施，采用Bridgman法生长了直径为30mm的X射线及γ射线探测器级的Cd.9Zn0．1Te晶锭．测试结果表明：该晶锭结晶质量良好，位错密度低，成分均匀，杂质含量低，红外透过率和电阻率都十分接近本征Cd.9Zn0．1Te的值．并从晶体的生长特性、缺陷和杂质的角度，分析了生长高性能晶体的条件，研究了生长Cdl-xZnxTe晶体的x值与缺陷和杂质浓度之间的关系．
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| 关 键 词： | Cdl－xZnxTe 布里奇曼法 电阻率 红外透过率 结晶质量 |
| 文章编号： | 0253-4177(2003)08-0833-04 |
| 修稿时间： | 2002-09-06 |
Growth of High Resistance Cd1-xZnxTe Crystal and Its Property Investigations |
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| Li Guoqiang,Gu Zhi and Jie Wanqi. Growth of High Resistance Cd1-xZnxTe Crystal and Its Property Investigations[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2003, 24(8): 833-836 |
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| Authors: | Li Guoqiang Gu Zhi Jie Wanqi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Cd 1-x Zn x Te Bridgman method resistance transmittance crystallinity |
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