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| 分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格 | |
| 引用本文： | 彭中灵,袁讨鑫.分子束外延生长晶格匹配HgSe／ZnTe超晶格[J].红外与毫米波学报,1994,13(1):53-58. |
| 作者姓名： | 彭中灵 袁讨鑫 |
| 作者单位： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 摘 要： | 提出并生长了晶格匹配的ＨｇＳｅ／ＺｎＴｅ超晶格系统，红外透射测试表明其禁带宽度落在红外波段的能量范围，将Ｚｈｕ的关于ＺｎＳｅ ＭＢＥ生长模型加以推广，讨论了生长温度和束流条件对ＨｇＳｅ ＭＢＥ生长的影响，并用分子束外延方法在１６０～１８０℃下生长了ＨｇＳｅ单晶薄膜。 |
| 关 键 词： | 分子束外延 红外材料 超晶格半导体 |
MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF LATTICE-MATCHED HgSe/ZnTe SUPERLATTICE |
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| Peng Zhongling,Yuan Shixin.MOLECULAR BEAM EPITAXIAL GROWTH OF LATTICE-MATCHED HgSe/ZnTe SUPERLATTICE[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,1994,13(1):53-58. | |
| Authors: | Peng Zhongling Yuan Shixin |
| Abstract: | |
| Keywords: | molecular beam epitaxy superlattice infrared materials |
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